技術(shù)編號(hào)：7237947
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，且更特別地，涉及一種制造 閃存器件的方法。背景技術(shù)閃存器件是一種電寫入和擦除數(shù)據(jù)的器件。該閃存器件是一種在浮置柵極 中存儲(chǔ)電荷并使用電荷通過隧穿絕緣層的隧穿效應(yīng)將存儲(chǔ)在浮置柵極中的電 荷泄放到襯底中的器件。作為閃存器件重要操作的隧穿取決于施加到控制柵極的多少電壓會(huì)傳送 到隧穿絕緣層以產(chǎn)生電場(chǎng)。施加到隧穿絕緣層的電壓與施加到控制柵極的電壓 的比率由耦合率表示。當(dāng)浮置柵極和控制柵極之間的電容大于襯底和浮置柵極 之間的電壓...
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