技術(shù)編號(hào)：7237865
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種晶體管元件的制造方法，且特別是有關(guān)于一種臨場修補(bǔ) 等離子體損害基底的方法。背景技術(shù)由于集成電路產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，元件的集成度也隨之日益提高。在這樣的趨 勢之下，如何避免元件微縮所導(dǎo)致的短通道效應(yīng)，以及元件間彼此緊鄰所造成的漏 電與短路等問題， 一直是業(yè)界研究的重點(diǎn)。一般來說，為了讓相鄰晶體管的柵極可以隔離開來，柵極的兩側(cè)會(huì)設(shè)置有間 隙壁(spacer)。而且，間隙壁也可以用來作為形成晶體管的源極/漏極的重?fù)诫s (heavy doping)罩...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。