技術(shù)編號(hào):7237053
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。.本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作技術(shù),且特別是涉及形成圖樣(pattern)的方法。 背景技術(shù)當(dāng)今光刻技術(shù)于制作45納米的節(jié)點(diǎn)時(shí)遭遇了許多挑戰(zhàn),其中挑戰(zhàn)之一 涉及定義40微米以下構(gòu)件時(shí)所使用抗蝕劑所遭遇的如為線邊粗糙(line-edge roughness)、日暴光噪聲(shot noise)、酸擴(kuò)散污點(diǎn)(acid diffiision blur)以及抗蝕劑 崩塌(resist collapse)等不良情形。而于采用如超紫外光(extreme ultraviolet...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。