技術(shù)編號：7236946
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及有機(jī)半導(dǎo)體器件及微細(xì)加工，尤其涉及一種 簡化的制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方法。背景技術(shù)近年來，OFET在柔性有源矩陣顯示和柔性集成電路等方面顯示出 巨大的應(yīng)用潛力。OFET的結(jié)構(gòu)主要有兩種頂接觸式和底接觸式。其 中底接觸式OFET的源、漏電極的制備在沉積有機(jī)半導(dǎo)體層之前，因 此可以利用光刻和剝離的方法而不會對有機(jī)層產(chǎn)生任何影響。由于這 種工藝上的優(yōu)勢使得底接觸式結(jié)構(gòu)獲得廣泛的應(yīng)用。然而理論分析表明頂接觸式OFET在性能上優(yōu)于底接觸式，但是 頂接觸式O...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。