技術(shù)編號：7236881
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及有機(jī)半導(dǎo)體器件和微細(xì)加工，尤其涉及一種利用 一次掩膜光刻同時定義出有機(jī)薄膜晶體管源漏柵電極的方法。背景技術(shù)有機(jī)場效應(yīng)晶體管(OFET)由于可在柔性、大面積襯底上構(gòu)筑電子系統(tǒng) 模塊而備受關(guān)注，有巨大的潛在應(yīng)用市場。目前無論全有機(jī)還是有機(jī)/無機(jī) 混合器件基本上都是用薄膜晶體管結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)的，因此OFET又稱有機(jī)薄 膜晶體管(OTFT)。要在絕緣介質(zhì)兩邊制作柵電極和源、漏電極，都需要兩塊掩模版進(jìn)行 兩次光刻，存在工藝復(fù)雜和對準(zhǔn)精度問題。用簡單的工藝實現(xiàn)高...
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