技術編號：7236083
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，是關于包括在晶片面內具有均等膜厚的接觸包覆膜(contact liner film)的場效應型晶體管及其制造方 法。背景技術伴隨著半導體裝置設計規(guī)則的縮小化，電路的集成度飛躍式提高，實 現(xiàn)在 一 個芯片上搭載一億個以上的場效應型金屬絕緣體半導體(MIS二Meta 1 Insulating Semiconductor)晶體管的高集成化也正在成為可能。為了實現(xiàn)這 種芯片，不僅對需要數(shù)十納米級(order)加工精度的光刻(lithography)...
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