技術(shù)編號(hào)：7236001
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，更特別地，涉及制造具有凹 槽柵極的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件變得高度地集成，單元晶體管的溝道長(zhǎng)度減少。 此外，隨著對(duì)襯底的離子注入摻雜濃度增加，由于電場(chǎng)增強(qiáng)導(dǎo)致的結(jié) 泄漏也增加。因此，難以確保具有典型的平面型晶體管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體 器件的刷新性能。如此，已經(jīng)引入三維(3D)凹槽柵極工藝以克服上述限制。根據(jù)所述 方法，蝕刻襯底中的有源區(qū)的一部分以形成增加所述溝道長(zhǎng)度的凹槽， 并在所述凹槽上形成柵極。圖1A和1B說(shuō)明包...
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