技術(shù)編號(hào):7234616
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,更具體而言,涉及一 種在半導(dǎo)體器件中形成圖案的方法。技術(shù)背景當(dāng)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中形成柵極圖案時(shí),通常 需要進(jìn)一步減小周邊區(qū)域的臨界尺寸(CD)以形成高速器件。 圖1A和1B說(shuō)明形成半導(dǎo)體器件的典型方法的橫截面圖。 參考圖1A,在包括單元區(qū)域和周邊區(qū)域的襯底101上形成用于 形成柵極硬掩模的基于氮化物的層103和多晶硅層102。在基于氮 化物的層103上形成光刻膠圖案104A和104B。在單元區(qū)域中形成 光刻膠圖案104A,以...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。