技術(shù)編號(hào):7234608
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件,更尤其涉及溝槽型(trench-type)金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)晶體管和用于制造該溝槽型MOS晶體管的方法。背景技術(shù)圖1A和圖IB是傳統(tǒng)溝槽型MOS晶體管的橫截面圖。 參照?qǐng)D1A,傳統(tǒng)溝槽型MOS晶體管包括半導(dǎo)體襯底100、設(shè)置在半導(dǎo)體 襯底IOO上的漏區(qū)101、在漏區(qū)101上形成的漂移區(qū)102、在漂移區(qū)上形成的 溝道體103(channelbody)和在溝道體103上形成的源區(qū)104。漏區(qū)101中注入 高濃度的N型摻雜劑...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。