技術(shù)編號(hào)：7234239
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及多孔膜的形成。更具體地，本發(fā)明涉及具有低介電常數(shù) 的多孔材料和包括該多孔材料的膜以及它們的制備方法。背景技術(shù)增加在諸如存儲(chǔ)器和邏輯片的多級(jí)集成電路器件中的電路密度，從而改善 操作速度和減小能量消耗，在微電子工業(yè)中是持續(xù)需要的。為了持續(xù)減小集成 電路上器件的尺寸，阻止在不同級(jí)金屬化之間的電容性串音的需求變得日益重 要。Jii^需要可被概括表示為"RC"，其中"R"是導(dǎo)電線路的電阻，"C"是絕 緣介電夾層的電容。電容"C"與行間隔成反比且與夾層...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。