技術(shù)編號：7233855
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種；更特別地，涉及一種與 NAND快閃存儲器的單元陣列相關(guān)的。背景技術(shù)NAND快閃存儲器的存儲單元陣列包括串結(jié)構(gòu)(string structure )。該串 結(jié)構(gòu)包括漏極選擇晶體管，其中漏極連接至位元線(bit line);源極選擇 晶體管，其中源極連接至公共源極線；以及多個存儲單元，串聯(lián)連接于該漏 極選擇晶體管與該源極選擇晶體管之間。多個串結(jié)構(gòu)電隔離且并聯(lián)耦接。通 過并聯(lián)連接漏極選擇晶體管的柵極形成漏極選擇線，通過并聯(lián)連接源極選擇 晶體管的柵...
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