技術(shù)編號(hào)：7233412
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器件。更具體而言，本發(fā)明涉及雙重曝光 技術(shù)、以及一種利用該技術(shù)在半導(dǎo)體器件中形成圖案的方法。背景技術(shù)一般而言，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)等半導(dǎo)體器件包括大量精細(xì)圖案。這種圖案通過光刻工序而形成。為了通過光刻工序形成圖案，將光阻(PR)膜涂覆在將要圖案化的目標(biāo)層上。然后，執(zhí)行傳統(tǒng)的曝光工序以改變PR膜的特定部分的溶解度。接下來，執(zhí)行顯影工序以形成露出目標(biāo)層的PR圖案。也就是說，PR圖案是通 過移除溶解度已改變的部分或是通過移除溶解度...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。