技術編號:7232399
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種高張力薄膜的制作方法,尤其涉及一種于一應變硅金屬氧4t4勿半導體曰曰曰體管(strained-silicon metal-oxide-semiconductor transistor)上形成高張力薄膜的方法。背景技術隨著半導體工藝線寬縮小至65納米(nm)以下,以及元件微型化的發(fā)展, 如何改善元件效能,提升金屬氧化物半導體(MOS)晶體管元件的載流子遷移 率與驅動電流,已成為半導體產業(yè)中的一大課題。而為達到提升MOS晶體 管速度,目前業(yè)界是已...
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