技術(shù)編號：7232295
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種含P型三族氮化合物半導(dǎo)體的光電半導(dǎo)體元件的制 造方法，尤其涉及一種活化三族氮化合物半導(dǎo)體中P型摻雜物的方法。背景技術(shù)隨著發(fā)光二極管元件被廣泛應(yīng)用于不同產(chǎn)品，近年來制作藍(lán)光發(fā)光 二極管的材料，業(yè)己成為當(dāng)前光電半導(dǎo)體材料業(yè)重要的研發(fā)對象。目前藍(lán)光發(fā)光二極管的材料有硒化鋅(ZnSe)、碳化硅(SiC)和氮化銦鎵 (InGaN)等材料，這些材料都是寬能隙(band gap)的半導(dǎo)體材料，能 隙大約在2.6 eV以上。由于氮化鎵系列是直接能隙(dire...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。