技術(shù)編號(hào)：7231425
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和其制造方法，且特別涉及一種橫向能量(lateral power)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。 背景技術(shù)基本上，橫向能量金屬氧化物半導(dǎo)體(MOSFET)形成有共面的源極和漏 極區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。圖1A示出已知橫向能量 MOSFET元件IOO，元件IOO形成于P型基底101上，且另一P層113以外 延方法成長于基底101上。在外延成長的P層113中，高壓P阱區(qū)115鄰接 于高壓N阱區(qū)103， N+源極117設(shè)置于高...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。