技術(shù)編號：7231286
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明關(guān)于一種半導體元件的制造方法，特別有關(guān)于一種存儲器裝置的 制造方法。背景技術(shù)相變化存儲器具有速度、功率、容量、可靠度、工藝整合度，以及成本 等具竟爭力的特性，為一適合用來作為較高密度的獨立式或嵌入式的存儲器 應(yīng)用。由于相變化存儲器技術(shù)的獨特優(yōu)勢，也使得其被認為非常有可能取代目前商業(yè)化極具竟爭性的靜態(tài)存儲器SRAM、動態(tài)隨機存儲器DRAM的易 失性存儲器與閃存Flash的非易失性存儲器技術(shù)，可望成為未來極有潛力的 新世代半導體存儲器。相變化存儲器裝置利...
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