技術(shù)編號(hào)：7230490
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造中外延工藝，尤其涉及一種校正外延反應(yīng) 腔溫度的方法。技術(shù)背景襯底(基座)溫度是硅外延工藝的主要參數(shù)之一，它會(huì)直接影響外延層 的電阻率、厚度和摻雜原子在外延層與襯底界面的分布。因此，準(zhǔn)確的校正襯底(基座)溫度對(duì)獲得穩(wěn)定和重復(fù)的外延工藝很關(guān)鍵。目前用于校正硅 外延襯底(基座)溫度的方法主要有1、熱電偶校正直接高溫計(jì)；2、使用 離子注入硅片在外延生長(zhǎng)室退火，通過(guò)退火方塊電阻值來(lái)校正溫度。第一 種方法精度差，無(wú)法滿足工藝要求；第二種方法操作...
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