技術(shù)編號：7230487
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓制造工藝，尤其涉及一種半導(dǎo)體晶圓制造中金屬間電介質(zhì)(IMD)的填充方法。 背景技術(shù)在傳統(tǒng)的0. 25um以上半導(dǎo)體晶圓制造工藝中， 一般都是只單純采用 03TEOS SACVD (Sub-Atmospheric Chemical V鄰or Deposition, 次大氣 壓化學(xué)氣相沉積)的方法來實現(xiàn)后段IMD(Inter Metal Dielectric,金屬 間電介質(zhì))的填充。這種方法雖然考慮到了對IMD填充能力的要求，但卻 忽視了 ...
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