技術(shù)編號：7230267
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管以及，更具體地說，涉及具有顯示出減小的延遲時(shí)間的發(fā)射極的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管結(jié)構(gòu)以及制造該結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù) 隨著硅鍺(SiGe)異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)的開關(guān)速度接近并超過350GHz，該HBT器件的基極渡越時(shí)間在約100fs的范圍內(nèi)。該器件的發(fā)射極延遲時(shí)間典型的小于基極渡越時(shí)間。然而，隨著基極尺寸的縮小，發(fā)射極渡越時(shí)間成為總HBT正向渡越時(shí)間的增加的部分。在不遠(yuǎn)的未來，發(fā)射極延遲時(shí)間會(huì)變得和基極渡越時(shí)間一樣，并會(huì)嚴(yán)重限制...
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