技術編號：7230264
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及在被處理基板上實施等離子體處理的技術，特別是涉及電容耦合型的。背景技術 在半導體裝置和FPD(平面平板顯示器Flat Panel Display)的制造工藝中的蝕刻、堆積、氧化和濺射等的處理中，為了以比較低的溫度使處理氣體進行良好的反應，經(jīng)常利用等離子體。在現(xiàn)有技術中，在單片式的等離子處理裝置，特別是等離子蝕刻裝置中，電容耦合型的等離子處理裝置已成為主流。通常，電容耦合型的等離子體處理裝置在作為真空腔室而形成的處理容器內(nèi)平行地配置有上部電極和下部...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。