技術(shù)編號(hào)：7229648
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及由低溫多晶硅制備薄膜晶體管的技術(shù)。特別是，金屬被引入非晶材料上的選定位置，其濃度略高于開(kāi)始發(fā)生誘導(dǎo)晶化的最低濃度，在其他的位置引入金屬，但其濃度小于發(fā)生誘導(dǎo)晶化的濃度，可為保證晶化速度和結(jié)晶質(zhì)量提供誘導(dǎo)金屬。如上設(shè)置的金屬元素引入后，對(duì)非晶薄膜進(jìn)行熱退火。結(jié)果會(huì)形成大晶粒尺寸并按設(shè)計(jì)排列的多晶硅薄膜。用該方法可以制備出高均勻性，高質(zhì)量的多晶硅薄膜，且工藝重復(fù)性好。背景技術(shù) 為獲得高質(zhì)量、高性能的平板顯示器，有源選址驅(qū)動(dòng)是一項(xiàng)必需的技術(shù)，它主要包括...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。