技術(shù)編號：7229627
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，具體而言，涉及例如在真空處理容器內(nèi)產(chǎn)生處理氣體的等離子體，以除去形成于被處理體表面上的有機(jī)膜層的。 背景技術(shù) 在形成半導(dǎo)體集成電路配線時，具有例如形成配線用接觸孔或接觸槽的工序。在這些工序中，在含有例如硅氧化物等的絕緣膜層上形成保護(hù)膜層和防反射膜層，再用光刻技術(shù)形成接觸孔或接觸槽的圖案，然后，使用等離子體處理裝置根據(jù)它們各自的形狀進(jìn)行蝕刻，形成接觸孔和接觸槽。此后，使用同一個等離子體處理裝置或其它等離子體處理裝置施行灰化處理，以除去保護(hù)膜層。例...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。