技術(shù)編號：7229315
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)的氮化物半導(dǎo)體的實例包括GaN基氮化物半導(dǎo)體.GaN 基氮化物半導(dǎo)體被應(yīng)用于藍色/綠色發(fā)光二極管(LED)的光學(xué)器件、 高速開關(guān)和高功率器件例如金屬氣化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)以及也被稱為異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管的高電子遷移率晶體 管(HEMT)。具體地，具有結(jié)晶層的半導(dǎo)體發(fā)光器件在發(fā)光器件領(lǐng)域例如GaN 基氮化物半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域例如LED和半導(dǎo)體激光二極管中作為聚光 燈中發(fā)射藍光的器件，其中在所述結(jié)晶層中GaN基氮化物半...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。