技術編號：7228550
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術中絕緣體上硅(SOI)器件體接觸，尤其涉及。背景技術隨著器件特征尺寸的減小，摩爾定律正經(jīng)受越來越嚴峻的考驗。摩爾 定律能否持續(xù)發(fā)展，取決于具有創(chuàng)新性技術的出現(xiàn)。近年來出現(xiàn)了很多創(chuàng)新性的技術，如FinFET、單電子器件、雙柵器件等，其中SOI技術最具 發(fā)展?jié)摿ΑOI器件分為部分耗盡和全耗盡兩種。全耗盡器件因為器件工作時硅 膜全部耗盡，源體之間勢壘很小，所以體區(qū)積累的空穴可以通過源極流出。 因此，全耗盡SOI器件沒有浮體效應。但全耗盡SO...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。