技術(shù)編號：7228544
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)工藝調(diào)度方法，具體涉及一種半導(dǎo)體硅片加工工藝中，硅片傳輸 過程的調(diào)度方法。背景技術(shù)對半導(dǎo)體硅片進(jìn)行加工需要多道工序，硅片加工設(shè)備包含多個對硅片進(jìn)行加工的腔 室。如圖1所示，包括四個對硅片進(jìn)行刻蝕工藝的反應(yīng)腔室，分別為PM1、 PM2、 PM3、 PM4; 還包括三個片倉，分別為P1、 P2、 P3,用于存放工藝任務(wù)中的硅片；還包括一個AL2 (定位 校準(zhǔn)裝置)，用于對硅片進(jìn)行定位校準(zhǔn)；還包括一個大氣傳輸腔室和一個真空傳輸腔室， 之間通過L...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。