技術(shù)編號：7227970
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造，特別涉及一種。 背景技術(shù)在半導體集成電路制造中，通過光刻工藝在半導體襯底上旋涂光刻 膠層，對光刻膠層曝光顯影后定義出刻蝕或離子注入的區(qū)域，并在完成 刻蝕或離子注入后，去除半導體襯底上的光刻膠。常用的去除光刻膠的方法有干法等離子體刻蝕和濕法清洗。專利號為US 6，630，406的美國專利公開了一種干法等離子體刻蝕去 除光刻膠的方法。在干法等離子體刻蝕工藝中，產(chǎn)生等離子體的方法通 過微波或射頻等激勵源作用于工作氣體，例如氧氣、氫氣或含氟的...
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