技術(shù)編號：7227804
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種利用陽極氧化工藝控制氮化鉭埋置薄膜電阻精度的制作方法，屬于高密度MCM-D基板的封裝領(lǐng)域。背景技本MCM-D(Multichip Module Deposition薄膜多芯片組件)基板的薄膜多層互連結(jié)構(gòu)內(nèi)埋置無源元件和有源器件的技術(shù)可以進(jìn)一步提高組件的組裝密度和組件性能，使其具有更多的功能。一般埋置薄膜電阻或電阻網(wǎng)絡(luò)的方法是采用NiCr、TaN或TiW等多層復(fù)合金屬膜既作為粘附層又可作為電阻薄膜，通過套刻工藝同時形成薄膜電阻和電阻總端電極以及...
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