技術(shù)編號：7227341
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)，特別是指一種在快速熱退火(RTA)過 程中通氧氣以提高P溝道金屬氧化半導(dǎo)體(PMOS)的崩潰電壓的方法。背景技術(shù)在通常情況下，反向偏置的PN結(jié)中只產(chǎn)生很小的恒定的漏電流。但當(dāng) 反向電壓超過某個特定的值，也即崩潰電壓(BKV， BREAKDOWN VOLTAGE)后，PN結(jié)會產(chǎn)生大電流，從而引起反向?qū)ǎ@即是所謂的崩 潰。顯然，崩潰電壓越大，電子器件的性能越好。崩潰電壓與電子器件制作時的離子注入摻雜工藝密切相關(guān)。在集成電路 制造...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。