技術(shù)編號(hào):7226419
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器掩蔽膜的制作方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體激光器由于體積小、重量輕、轉(zhuǎn)換效率高、能直接調(diào)制、可靠性高、易于集成等優(yōu)點(diǎn),在光纖通信、光學(xué)存儲(chǔ)、激光泵浦、材料加工、精密測(cè)量、醫(yī)療美容等領(lǐng)域有著越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。半導(dǎo)體激光器應(yīng)用時(shí)一般要求激光光譜具有較小的發(fā)散角,也為了降低半導(dǎo)體激光器的閾值電流,必須對(duì)在平行于結(jié)平面方向的電流進(jìn)行限制,使電流集中在條形區(qū)域內(nèi)。常用的半導(dǎo)體激光器有兩種類型一是如圖1所示的氧化物條形結(jié)構(gòu),用氧化硅1(也可是氮化硅等介質(zhì)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。