技術編號：7225031
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。低密度漏極HEMT相關申請的交叉引用本申請要求2005年11月29日提交的美國臨時專利申請 60/740256以及2005年12月8日提交的美國臨時專利申請60/748339 的優(yōu)先權，通過引用將這兩者結合于此。背景和概述本申請涉及常斷高電子遷移率晶體管("HEMT")中的擊穿電壓提 高和電流崩塌抑制的方法，具體來說，涉及采用無電極漏極側表面場 工程設計來制作氮化鋁鎵/氮化鎵("AlGaN/GaN" )HEMT，從而產(chǎn)生 "低密度漏極"HEMT。過度的電場...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。