技術(shù)編號：7223734
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。;^發(fā)明描述了 一種用于在襯底上^^薄層物質(zhì)和/或從襯底去除薄層物質(zhì)的 設(shè)備，所述襯底例如為硅晶片。許多以前的沉積和蝕刻工藝?yán)貌贿B續(xù)的步驟用于形成薄膜或深層結(jié)構(gòu)的蝕刻。這些步驟^^3^—個處Sit室中(^yt喊 者單個晶片)進(jìn)行。背景技術(shù)科'J來說，原子層^^K (ALD"^皮稱為原子層夕卜延)是一種化學(xué)^目^^P、 工藝，其中自約絲面M最終產(chǎn)生保形涂層。對于例如用于形^^層的具 有高的介電常數(shù)(K)的薄膜(例如班02或氧^4呂)的ALD和類似的工藝， ...
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