技術編號：7223019
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及通過堆疊外延的半導體層來，具體;也，這種方法包纟舌以下步驟乂人栽體(support,支 座)外延生長至少一個集電極層(用于E-up結構(發(fā)射極在頂部 的結構))或發(fā)射極層(用于C-up結構(集電極在頂部的結構))、 至少一個基極層、以及至少一個發(fā)射才及層或集電才及層。背景技術異質結雙極晶體管由三個半導體區(qū)域(發(fā)射極、基極和集電極) 的堆疊制成，其中，發(fā)射極具有比基極更寬的禁帶能隙。它的橫向 延伸部(在每個前述區(qū)的平面上)包4舌兩個區(qū) 一個稱作本^...
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