技術(shù)編號(hào)：7222483
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。領(lǐng)域本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體晶體管及其制造方法，尤其涉及通過利用改進(jìn)的 尖端輪廓來提高晶體管性能。背景硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體("COMS")技術(shù)是主要的微電子技術(shù)。CMOS提供 高的可靠性、高水平的集成、低功耗，并且成本效率很高。對(duì)于低頻應(yīng)用，CMOS 極可能仍是主要技術(shù)。然而，硅中的電子或空穴遷移率及其它物理限制會(huì)防礙需要 髙晶體管轉(zhuǎn)換速率的較高速度的應(yīng)用將CMOS的利用程度。最近特別是隨著晶體管特征尺寸(例如，柵長(zhǎng)度)的減小，用于提高CMOS晶 體管的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。