技術(shù)編號：7222420
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及具有基于能帶工程的增 強特性的半導(dǎo)體及其相關(guān)方法。背景技術(shù)人們已經(jīng)提出了用于增強半導(dǎo)體器件性能的結(jié)構(gòu)和技術(shù)，諸如通過提高電荷載流子的遷移率。例如，Currie等人的第2003/0057416 號美國專利申請披露了硅、硅-鍺以及松弛硅的應(yīng)變材料層，并且，該 應(yīng)變材料層還含有無雜質(zhì)區(qū)，否則將會導(dǎo)致性能退化。在上硅層內(nèi)所 得到的總雙軸應(yīng)變改變了栽流子遷移率，使較高的速度和/或較低的功 率器件成為可能。Fitzgerald等人的...
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