技術(shù)編號：7222132
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種超級接面金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，尤指一種于源極半導(dǎo)體溝槽周圍結(jié)合至少一個額外摻雜的超級接面的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)現(xiàn)有的金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor, M0SFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，諸如中國臺灣專利公報第1328287號「半導(dǎo)體組件及互補(bǔ)式金氧半場效晶體管」發(fā)明專利案與第1323489號「溝渠式功率半導(dǎo)體裝...
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