技術(shù)編號(hào)：7221739
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及利用氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光二極管(LED)、激光二極管 等的發(fā)光元件、HEMT等的晶體管元件等，利用p型氮化物半導(dǎo)體結(jié) 晶層的半導(dǎo)體元件的制造方法。更詳細(xì)地涉及不會(huì)產(chǎn)生為了使p型氮 化物半導(dǎo)體結(jié)晶層中的受主活性化而進(jìn)行的高溫?zé)崽幚硭鶎?dǎo)致的氮脫 落等弊害，能夠可靠地進(jìn)行受主的活性化，形成低電阻p型層的氮化 物半導(dǎo)體晶體元件的制造方法。背景技術(shù)現(xiàn)階段，利用氮化物半導(dǎo)體的藍(lán)色系發(fā)光二極管(LED)、激光二 極管等的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件正在實(shí)用化。發(fā)出利用該...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。