技術編號：7221731
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及使用氮化物半導體的發(fā)光二極管(LED)和激光二極 管等的發(fā)光元件、HEMT等的晶體管元件等的使用氮化物半導體結晶 層的半導體元件及其制法。更詳細地，涉及通過在氧化鋅系化合物基 板上生長氮化物半導體層，減小基板和氮化物半導體層的晶格常數(shù)差， 生長結晶性優(yōu)異的氮化物半導體層，并且在除去基板的情況下，也能 夠很容易使用濕蝕刻除去的氮化物半導體元件及其制法。背景技術近年來，使用氮化物半導體的藍色系發(fā)光二極管(LED)和激光 二極管等的氮化物半導體發(fā)光元件...
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