技術(shù)編號(hào)：7221687
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)單元，尤其涉及非易失性存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)單元。更特別地，當(dāng)僅相變材料(PCM)的薄層被用于存儲(chǔ)存儲(chǔ) 單元的信息狀態(tài)時(shí)，珀耳帖元件同時(shí)對(duì)PCM元件提供加熱和冷卻， 以大大改善速度和可控性。背景技術(shù)作為存儲(chǔ)器的最廣泛使用的形式，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM ) 具有大量的已知的缺點(diǎn)。首先，存儲(chǔ)器是易失性的，這意味著它在計(jì) 算機(jī)或設(shè)備斷電時(shí)會(huì)丟失數(shù)據(jù)。第二，它相對(duì)較慢。第三，希望大大 減小存儲(chǔ)器"覆蓋區(qū)(footprint)，，(例如，存儲(chǔ)單...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。