技術(shù)編號(hào):7221410
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用了氮化物系m-v族化合物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體激光器及發(fā)光二極管。技術(shù)背景近年來(lái),替代現(xiàn)有的GaAs系的半導(dǎo)體激光器(例如,參考專利文 獻(xiàn)l),作為可以自光盤(pán)高密度化所需的藍(lán)色區(qū)域至紫外線區(qū)域發(fā)光的 半導(dǎo)體激光器,使用了 AlInGaN等氮化物系III-V族化合物半導(dǎo)體的半 導(dǎo)體激光器的研究開(kāi)發(fā)正在盛行,并被實(shí)用化。在這種半導(dǎo)體激光器,在活性層的p電極一側(cè)插入具有比活性層更 大的能帶間隙(bandgap)的電子勢(shì)壘層,防止自活性層溢流電子,從 而防止...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。