技術編號：7220660
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件，尤其涉及具有不同的氧化物厚度的溝槽肖特基 二極管以及這種器件的制造工藝。 背景技術肖特基二極管為大家所熟知并通過不同的布圖技術制造，包括如Bantval Baliga的美國專利5,612,567中典型示出的溝槽布圖。溝槽肖特基二極管的 制造工藝需要大量的掩模層和制造步驟。然而，本發(fā)明人的美國專利申請 10/193,783給出了用于制造溝槽肖特基二極管的發(fā)明工藝，其中只需要簡少 的步驟和較少的掩模層。參考附圖，其中相同參考數(shù)字指相同元件...
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