技術(shù)編號：7220608
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，特別是涉及根據(jù)ALD法(Atomic Layer Deposition原子層蒸鍍法)形成作為配線膜用的阻擋膜有用的鉭氮化物膜的方法。背景技術(shù) 近年來，對半導(dǎo)體領(lǐng)域的薄膜制造技術(shù)中的微細加工的要求加快，伴隨其發(fā)生了各種各樣的問題。如以半導(dǎo)體器件中的薄膜配線加工為例，作為配線材料，由于電阻率小等理由，主流是使用銅。但是，由于銅具有刻蝕困難、在基底層的絕緣膜中容易擴散的性質(zhì)，產(chǎn)生器件的可靠性低的問題。為了解決該問題，以前，通過在多層配線構(gòu)造中的多層間...
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