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鉭氮化物膜的形成方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7220581

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本發(fā)明涉及,特別是涉及根據(jù)CVD法形成作為配線膜用的阻擋膜有用的鉭氮化物膜的方法。背景技術(shù) 近年來(lái),對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的薄膜制造技術(shù)中的微細(xì)加工的要求加快,伴隨其發(fā)生了各種各樣的問(wèn)題。如以半導(dǎo)體器件中的薄膜配線加工為例,作為配線材料,由于電阻率小等理由,主流是使用銅。但是,由于銅具有刻蝕困難、在基底層的絕緣膜中容易擴(kuò)散的性質(zhì),產(chǎn)生器件的可靠性低的問(wèn)題。為了解決該問(wèn)題,以前,通過(guò)在多層配線構(gòu)造中的多層間連接孔的內(nèi)壁表面上用CVD法等形成金屬薄膜(即,導(dǎo)電性的阻擋膜...
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