技術(shù)編號(hào):7219886
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。高出光率的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)本實(shí)用新型涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu),尤其是一種高出光率的大功率LED封 裝結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)現(xiàn)有的GaN (氮化鎵)LED倒裝芯片包括支承層(通常用Si材料制成)和 設(shè)于支承層上的P-N結(jié)層,P-N結(jié)層上是襯底材料,襯底材料多用AL203制成, 工作時(shí)光線通過(guò)AL2Cb層引導(dǎo)射出。但是AL203材料的折射率為2.8,與GaN折射率相差較大,光線通過(guò)AL2Ch 層時(shí),光損失很大,導(dǎo)致LED芯片出光效率(外量子效率)較低。實(shí)用新型內(nèi)容為...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。