技術(shù)編號(hào):7216029
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體器件(semiconductor device)制作工藝,且特別是有關(guān)于一種半導(dǎo)體晶圓的熱氧化制作工藝。公知在半導(dǎo)體晶圓上形成氧化層的方法,例如是采用將晶圓置于爐管中熱氧化的方法,對(duì)于內(nèi)存器件而言,上述的氧化制作工藝可在形成柵極結(jié)構(gòu)以及源極區(qū)/漏極區(qū)后進(jìn)行,而在整個(gè)柵極結(jié)構(gòu)表面以及基底上形成存儲(chǔ)單元再氧化層(Cell re-oxide),此存儲(chǔ)單元再氧化層的最主要功能即如上所述,提供絕緣以及保護(hù)的功能。除此之外,由于此氧化層采用熱爐...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。