技術(shù)編號：7216010
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及可減少因殘留高熔點金屬引起的結(jié)漏泄的半導體裝置。背景技術(shù) 圖6是先有的半導體裝置的電阻長度方向的截面圖，圖7是表示圖6中的擴散電阻的分離狀態(tài)的平面圖，圖8是圖6中的與擴散電阻長度方向正交的方向的截面圖，圖9是圖8中的擴散電阻的平面圖。圖中，1是半導體裝置的襯底(N阱)，2是在該襯底1上積層的非硅化物區(qū)，該非硅化物區(qū)2形成擴散電阻部(電阻元件)，在其兩端積層形成作為端子的硅化物區(qū)3，該端子設(shè)置有與上層布線連接的連接孔。因此，上述非硅化物區(qū)2構(gòu)成作為...
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