技術(shù)編號：7215267
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種退火晶片以及該退火晶片的制造方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體基材，特別是硅單晶晶片(下文中仍簡稱為“基材”)，被用作制造高度集成的MOS器件的基材。許多硅單晶晶片是通過切割由Czochralski(CZ)法制得的硅單晶錠而得到的基材。在此等硅單晶晶片中，在單晶生產(chǎn)期間引入的氧以過飽和濃度的方式存在。氧在后續(xù)器件加工中析出，并且在基材中形成氧析出物。當足量氧析出物出現(xiàn)在基材中時，析出物吸除重金屬，它們是在器件加工期間被引入基材中的，并且具有保持作為器件活...
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