技術(shù)編號(hào)：7214169
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用約攝氏600以下較低溫度形成結(jié)晶性能達(dá)到最佳的優(yōu)異的多晶半導(dǎo)體膜的技術(shù)；尤其是有關(guān)使用該技術(shù)使以多晶硅薄膜晶體管為代表的半導(dǎo)體器件性能顯著提高的制造方法。在可使用通用玻璃襯底的攝氏600度以下低溫制造以多晶硅薄膜晶體管(p-Si TFT)為代表的薄膜半導(dǎo)體器件的情況下，過去一直采取如下的制造方法。首先，在襯底上用低壓化學(xué)氣相堆積法(LPCVD法)堆積50nm厚的成為半導(dǎo)體膜的非晶硅膜。接著，在此非晶膜上照射XeCl激元激光(波長308nm)作成...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。