技術(shù)編號：7213975
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù) 圖1A至圖1C是示出傳統(tǒng)雙極晶體管的形成方法的截面圖。首先，如圖1A所示，對形成有預(yù)定器件的P型襯底10執(zhí)行離子注入工藝，由此形成N型阱12；以及對襯底10執(zhí)行淺溝槽隔離(STI)工藝，由此形成隔離層14。接下來，如圖1B所示，在形成有隔離層14的半導(dǎo)體襯底10的預(yù)定區(qū)域上形成用于限定發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的光致抗蝕劑圖案(圖中未示出)，并使用該光致抗蝕劑圖案作為掩模將P型離子注入半導(dǎo)體襯底1...
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