技術編號：7213974
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種CMOS圖像傳感器的制造方法。更具體而言，本發(fā)明涉及一種CMOS圖像傳感器的制造方法，其能夠在形成光電二極管時防止高能注入的摻雜劑滲透到柵電極的下部，從而防止晶體管的電流泄漏與閾值電壓的變化。背景技術 通常，圖像傳感器是一種用于將光學圖像轉換成電信號的半導體器件，并且其分為電荷耦合器件(CCD)和CMOS圖像傳感器。CCD具有多個布置成矩陣形式的光電二極管(PD)，以將光信號轉換成電信號。CCD包括多個垂直電荷耦合器件(VCCD)，其設置于矩...
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