技術(shù)編號(hào):7213354
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管的 結(jié)構(gòu)的制作方法。技術(shù)背景現(xiàn)有的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)圖l所示,由下到上依次包括襯底層l、緩沖層2、未摻雜的GaN層3、 N型GaN層4、多量子阱層5、 P型A1G認(rèn)層 6、 P型GaN層7和接觸層8,所述接觸層上設(shè)置有P型電極,所述N型GaN 層上設(shè)置有N型電極。所述N型GaN層摻有Si元素。使用MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor D印osition金屬有機(jī)化...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。